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参数资料
| 型号： | IRF720 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 410pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF720 |
IRF720, SiHF720
Vishay Siliconix
1000
800
600
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
10 1
10 0
150 ° C
400
200
C oss
C rss
25 ° C
0
10 0
10 1
10 -1
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2 1.4
91043_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91043_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
12
I D = 3.3 A
V DS = 320 V
V DS = 200 V
V DS = 80 V
10 2
5
2
10
5
2
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 μs
100 μs
1
1 ms
8
5
2
10 ms
4
0
0
5
10
15
For test circuit
see figure 13
20 25
0.1
5
2
10 -2
0.1
2
5
1
2
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
5 2
10
5
10 2
2
5
10 3
91043_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91043_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91043
S11-0508-Rev. B, 21-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7220 | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
| IRF7233TR | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| IRF730ASTRRPBF | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK |
| IRF7321D2TR | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC |
| IRF7322D1TR | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF720_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7201 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7201HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7201PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7201TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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