- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录443 > IRF7322D1TR (International Rectifier)MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7322D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 91705B
IRF7322D1
FETKY ? MOSFET / Schottky Diode
l
Co-packaged HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
A
1
8
K
V DSS = -20V
l
l
l
l
l
Ideal For Buck Regulator Applications
P-Channel HEXFET
Low V F Schottky Rectifier
Generation 5 Technology
SO-8 Footprint
A
S
G
2
3
4
Top View
7
6
5
K
D
D
R DS(on) = 0.058 ?
Schottky Vf = 0.39V
Description
The FETKY family of co-packaged MOSFETs and Schottky diodes offers the
designer an innovative, board space saving solution for switching regulator
and power management applications. Generation 5 HEXFET Power
MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Combinining this technology with
International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an
extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable
electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for
enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor
phase, infrared or wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)
SO-8
Parameter
Maximum
Units
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current à
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt á
Junction and Storage Temperature Range
-5.3
-4.3
-43
2.0
1.3
16
± 12
-5.0
-55 to +150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Maximum
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
Notes:
à Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 9)
á I SD ≤ -2.9A, di/dt ≤ -77A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec .
www.irf.com
1
10/18/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7324D1TR | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
| IRF7353D1TR | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| IRF7402TR | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC |
| IRF7404QTRPBF | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| IRF7413ATR | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7322D1TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7324 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7324D1 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7324D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 270 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。