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参数资料
| 型号： | IRF7324D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 91789B
IRF7324D1
FETKY ? MOSFET / Schottky Diode
l
l
l
l
Co-packaged HEXFET ? Power
MOSFET and Schottky Diode
Ideal for Mobile Phone Applications
Generation V Technology
SO-8 Footprint
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
V DSS = -20V
R DS(on) = 0.27 ?
Schottky Vf = 0.39V
Top View
Description
The FETKY TM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer
the designer an innovative board space saving solution for switching regulator
applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques
to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this
technology with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers
results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of
portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced
thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase,
infrared or wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
SO-8
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
dV/dt
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Peak Diode Recovery
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
-20
± 12
-2.2
-1.8
-22
2.0
1.3
-0.74
16
-55 to + 150
V
A
W
V/ns
mW/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JL
R θ JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
–––
–––
20
62.5
°C/W
Notes ?
through ? are on page 8
www.irf.com
1
10/18/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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