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参数资料
| 型号： | IRF7324D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7324D1
Power Mosfet Characteristics
600
500
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
12
10
ID= -2.2A
VDS= -16V
VDS= -10V
400
8
300
200
100
Ciss
Coss
Crss
6
4
2
0
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
100
10
-VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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