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参数资料
| 型号： | IRF7324D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7324D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
R DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
-20 ––– –––
––– 0.155 0.270
V
?
V GS = 0V, I D = -250μA
V GS = -4.5V, I D = -1.2A
––– 0.260 0.400
V GS = -2.7V, I D = -0.6A
V GS(th)
I DSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
-0.70 ––– –––
––– ––– -1.0
V
μA
V DS = V GS , I D = -250μA
V DS = -16V, V GS = 0V
––– ––– -25
V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– ––– 100
––– ––– -100
2.4 ––– –––
––– 5.2 7.8
––– 0.88 –––
––– 2.5 –––
––– 10 –––
––– 12 –––
––– 11 –––
––– 7.6 –––
––– 260 –––
––– 140 –––
––– 70 –––
nA
S
nC
ns
pF
V GS = -12V
V GS = 12V
V DS = -16V, I D = -2.2A
I D = -2.2A
V GS = -4.5V
V DD = -16V
V DD = -10V, V GS = -4.5V
I D = -2.2A
R G = 6.0 ?
R D = 4.5 ?
V GS = 0V
V DS = -15V
? = 1.0MHz
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
Pulsed Source Current
–––
–––
–––
–––
-2.2
-22
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
26
24
-1.2
39
36
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -2.2A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -2.2A, V DD = -10V
di/dt = 100A/μs
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units
Conditions
I F(av)
Max. Average Forward current
1.7
1.2
A
50% Duty Cycle Rectangular Wave, T A = 25°C
T A = 70°C
I SM
Max.Peak one cycle Non-repetitive
Surge Current
120
11
5μs sine or 3μs Rect. Pulse
10ms sine or 6ms Rect. Pulse
Following any rated
load condition &
with VRRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
V FM
Max. Forward Voltage Drop
0.50
V
I F = 1.0A, T J = 25°C
0.62
0.39
0.57
I F = 2.0A, T J = 25°C
I F = 1.0A, T J = 125°C
I F = 2.0A, T J = 125°C
I RM
Max. Reverse Leakage Current
0.05
mA
V R = 20V
T J = 25°C
10
T J = 125°C
Ct
Max. Junction Capacitance
92
pF
V R = 5Vdc (100kHz to 1MHz) 25°C
dV/dt
2
Max. Voltage Rate of Charge
3600
V/μs Rated V R
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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