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参数资料
| 型号： | IRF7324D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7324D1
Power Mosfet Characteristics
1.5
0.164
1.0
I D = -2.2A
VGS = -4.5V
0.160
0.156
0.152
VGS= - 4.5V
VGS= - 5.0V
0.148
0.144
0.5
0.140
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
TJ , Junction Temperature (°C)
-ID , Drain Current (A)
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
0.4
I D = -2.2A
TJ = 25°C
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
0.3
100μsec
0.2
10
1msec
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
10msec
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
1
1
Single Pulse
10
100
4
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7353D1TR | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| IRF7402TR | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC |
| IRF7404QTRPBF | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC |
| IRF7413ATR | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| IRF7413QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7324D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2.2A 270mOhm 5.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7324PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7324TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual P-Channel 20 V 2 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| IRF7324TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7325 | 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:HEXFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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