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参数资料
| 型号： | IRF7322D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7322D1
Power Mosfet Characteristics
100
0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
t 1
t 2
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.8
0.08
0.07
0.6
V GS = -2.7V
0.06
0.4
I D = -5.3A
0.05
0.2
0.04
V GS = -4.5V
0.0
0
4
8
12
16
20
A
0.03
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
A
-I D , Drain Current (A)
Fig 10. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
www.irf.com
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
5
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PDF描述 |
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