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参数资料
| 型号： | IRF7240 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | IRF7240 |
IRF7240
www.irf.com
9
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CONTROLLING DIMEN SION : MILLIMETER .
2. OU TLINE CON FORM S TO EIA-481 & EIA-541.
FEED D IREC TION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
N OTES:
1. C ONTR OLLING DIM ENSION : M ILLIM ETER.
2. ALL DIM ENSION S ARE SHO W N IN M ILLIM ETERS(INCH ES).
3. OU TLIN E C ON FORM S TO EIA-481 & EIA-541.
Tape and Reel
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7240HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 40V 10.5A 8PIN SO - Rail/Tube |
| IRF7240PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7240PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7240TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7240TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
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