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参数资料
| 型号： | IRF7241PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRF7241PBF |
www.irf.com
7
Fig 15.
Typical Vgs(th) Vs.
Junction Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
-G
ID = -250μA
Fig 16.
Typical Power Vs. Time
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
Time (sec)
0
20
40
60
80
100
P
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7241 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7304 | Generation V Technology |
| IRF7306 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7309 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313PBF | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7241TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7241TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7241TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
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