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参数资料
| 型号： | IRF730ASTRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 74W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
10 5
10 4
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10 2
10 3
10 2
C iss
C oss
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
C rss
1
0.1
V GS = 0 V
1
10
10 2
10 3
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
91046_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91046_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
I D = 5.5 A
10 2
Operation in this area limited
16
12
8
V DS = 320 V
V DS = 200 V
V DS = 80 V
10
by R DS(on)
10 μs
100 μs
1 ms
1
4
For test circuit
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10 ms
0
see figure 13
0.1
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
10
10 2
10 3
91046_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91046_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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参数描述 |
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