参数资料
型号: IRF7326D2
厂商: International Rectifier
英文描述: FETKY MOSFET / Schottky Diode
中文描述: FETKY MOSFET的/肖特基二极管
文件页数: 5/8页
文件大小: 116K
代理商: IRF7326D2
IRF7326D2
www.irf.com
5
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 11.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 9.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Power Mosfet Characteristics
0
2
4
6
8
10
12
14
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
R
-I , Drain Current (A)
D
VGS = -4.5V
VGS = -10V
4
6
8
10
12
14
16
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
R
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
ID = -3.6A
)
)
相关PDF资料
PDF描述
IRF7328 HEXFET Power MOSFET
IRF7341IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7341PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7342 Power MOSFET
IRF7343PBF HEXFET Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF7326D2PBF 功能描述:MOSFET FETKY 30V VBRD 7.7mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7326D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7326D2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.6A 100mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7328 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF7328HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC