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参数资料
| 型号： | IRF7353D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7353D1
Power Mosfet Characteristics
0.040
0.12
0.036
V GS = 4.5V
0.10
0.08
0.032
0.06
0.028
0.04
I D = 5.8A
0.024
V GS = 10V
0.02
0.020
0
10
20
30
40
A
0.00
0
3
6
9
12
15
A
I D , Drain Current (A)
Fig 5. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
1200
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
20
I D = 5.8A
V DS = 15V
C oss =C ds +C gd
16
900
C iss
C oss
12
600
8
300
C rss
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
40
4
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 7. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 8. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7353D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7353D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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