参数资料
型号: IRF7353D1TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
标准包装: 4,000
系列: FETKY™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
IRF7353D1
SO-8 (Fetky) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D
B
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
5
A
.0532
.0688
1.35
1.75
A1 .0040
.0098
0.10
0.25
b
.013
.020
0.33
0.51
E
6
8
1
7
2
6
3
5
4
H
0.25 [.010]
A
c
D
E
e
.0075 .0098
.189 .1968
.1497 .1574
.050 BAS IC
0.19 0.25
4.80 5.00
3.80 4.00
1.27 BAS IC
e1
.025 BAS IC
0.635 BAS IC
H
.2284
.2440
5.80
6.20
6X
e
K
L
y
.0099
.016
.0196
.050
0.25
0.40
0.50
1.27
e1
A
C
y
K x 45°
8X b
0.25 [.010]
A1
C A B
0.10 [.004]
8X L
7
8X c
NOT ES:
1. DIMENSIONING & T OLERANCING PER AS ME Y14.5M-1994.
2. CONT ROLLING DIMENS ION: MILLIMET ER
3. DIMENSIONS ARE S HOWN IN MILLIMET ERS [INCHES ].
4. OUT LINE CONFORMS TO JEDEC OUT LINE MS -012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS .
MOLD PROT RUSIONS NOT T O EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROT RUS IONS .
MOLD PROT RUSIONS NOT T O EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS T HE LENGT H OF LEAD FOR S OLDERING T O
A S UBS T RAT E.
6.46 [.255]
FOOT PRINT
8X 0.72 [.028]
SO-8 (Fetky) Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7807D1 (FETKY)
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
DATE CODE (YWW)
P = DISGNATES LEAD - FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
www.irf.com
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
XXXX
807D1
WW = WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
LOT CODE
PART NUMBER
7
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IRF7353D2PBF 功能描述:MOSFET 30V FETKY 20 VBRD 29mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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