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参数资料
| 型号： | IRF7422D2TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7422D2
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
––– R G = 6.0 ?
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-20
–––
–––
-0.70
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.07
0.115
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.2
6.0
8.4
26
51
33
610
310
170
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
0.09 V GS = -4.5V, I D = -2.2A ?
0.14 V GS = -2.7V, I D = -1.8A ?
––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -16V, I D = -2.2A
-1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 125°C
-100 V GS = -12V
nA
100 V GS = 12V
22 I D = -2.2A
3.3 nC V DS = -16V
9.0 V GS = -4.5V, See Fig. 6 and 9 ?
––– V DD = -10V
––– I D = -2.2A
ns
––– R D = 4.5 ? , See Fig. 10 ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -15V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current(Body Diode)
Pulsed Source Current (Body Diode)
––– ––– -2.5
––– ––– -17
A
V SD
t rr
Q rr
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse RecoveryCharge
––– ––– -1.0 V T J = 25°C, I S = -1.8A, V GS = 0V
––– 56 84 ns T J = 25°C, I F = -2.2A
––– 71 110 nC di/dt = -100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units
Conditions
If (av)
I SM
Max. Average Forward Current
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
2.8
1.8
200
20
A
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, Tc = 25°C
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, Tc = 70°C
5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with Vrrm applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
Vfm
Max. Forward voltage drop
0.57
0.77
0.52
0.79
V
If = 3.0, Tj = 25°C
If = 6.0, Tj = 25°C
If = 3.0, Tj = 125°C
If = 6.0, Tj = 125°C .
Irm
Max. Reverse Leakage current
0.13
18
mA
Vr = 20V Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ct
dv/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
310 pF
4900 V/μs
Vr = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated Vr
( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
2
www.irf.com
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