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参数资料
| 型号： | IRF7422D2TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7422D2
Schottky Diode Characteristics
100
100
10
T J = 150°C
125°C
100°C
1
75°C
10
0.1
0.01
50°C
25°C
T J = 150°C
0.001
0
4
8
12
16
20
A
T J = 125°C
T J = 25°C
Reverse Voltage - V R (V)
Fig. 13 - Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse
Voltage
1
1000
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T J = 25°C
Forward Voltage Drop - V FM (V)
Fig. 12 - Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
100
0
5
10
15
A
20
Reverse Voltage - V R (V)
Fig.14 - Typical Junction
Capacitance Vs. Reverse Voltage
6
www.irf.com
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PDF描述 |
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