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参数资料
| 型号： | IRF7463 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7463 |
IRF7463
1000
100
VGS
TOP 15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
1000
100
VGS
TOP 15V
10V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
BOTTOM 2.0V
10
1
10
2.0V
0.1
2.0V
0.01
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
2.0
I D = 14A
100.00
10.00
1.00
T J = 150°C
T J = 25°C
VDS = 15V
1.5
1.0
0.5
0.10
2.0
20μs PULSE WIDTH
2.5 3.0 3.5 4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.5
V GS = 10V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
www.irf.com
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7463TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7463TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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