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参数资料
| 型号： | IRF7463 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7463 |
IRF7463
0.0080
0.0075
0.0070
VGS = 4.5V
0.016
0.012
0.0065
VGS = 10V
0.008
ID = 14A
0.0060
0.004
0
20
40
60
80
100
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
ID , Drain Current (A)
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
- DS
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Q GS
Q G
Q GD
800
600
TOP
BOTTOM
I D
6.3A
11A
14A
V GS
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Charge
400
V (BR)DSS
15V
200
tp
VDS
L
DRIVER
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
0
25
50 75 100 125
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
150
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 15c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3710STRR | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
| IRF3515S | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| F930J685KAA | CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1206 |
| MMBD2004S-7-F | DIODE SS SW 350MW 240V SOT23-3 |
| B32921C3104M289 | CAP FILM 0.1UF 310VAC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7463HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC |
| IRF7463PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7463TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7463TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7463TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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