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参数资料
| 型号： | IRF7463 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7463 |
IRF7463
SO-8 Package Details
D
-B-
5
DIM
A
INCHES
MIN MAX
.0532 .0688
MILLIMETERS
MIN MAX
1.35 1.75
5
E
-A-
8
1
7
2
6
3
5
4
H
0.25 (.010)
M
A M
A1
B
C
D
.0040
.014
.0075
.189
.0098
.018
.0098
.196
0.10
0.36
0.19
4.80
0.25
0.46
0.25
4.98
E
.150
.157
3.81
3.99
0.10 (.004)
B 8X
-C-
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
e
0.25 (.010) M C A S B S
e1
A1
A
θ
6X θ
L
8X
K x 45°
6
C
8X
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ 0° 8° 0° 8°
RECOMMENDED FOOTPRINT
0.72 (.028 )
8X
3.
DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS (INCHES).
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
6 DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
1.78 (.070)
8X
3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7463HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC |
| IRF7463PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7463TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7463TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7463TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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