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参数资料
| 型号： | IRF7467TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7467TRPBFDKR |
IRF7467PbF
0.020
0.019
0.018
0.017
0.016
0.015
0.020
0.018
0.016
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
VGS = 4.5V
VGS = 10V
0.014
0.012
0.010
I D = 11A
0
20
40
60
80
100
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
ID , Drain Current ( A )
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
- DS
12V
V GS
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
3mA
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Q GS
Q G
Q GD
Charge
600
500
TOP
BOTTOM
I D
4.0A
7.2A
9.0A
I G
I D
Current Sampling Resistors
400
Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
V (BR)DSS
15V
300
200
100
tp
VDS
L
DRIVER
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
0
25
50 75 100 125
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
150
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 15c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7467TR | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| IRF7468PBF | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC |
| IRF7468TR | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC |
| IRF7478QTRPBF | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC |
| IRF7484TRPBF | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7468 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7468HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC |
| IRF7468PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7468TR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7468TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
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