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参数资料
| 型号： | IRF7468TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15.5 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2460pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 93914D
SMPS MOSFET
IRF7468
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
V DSS
40V
R DS(on) max(m ?)
15.5@V GS = 10V
I D
9.4A
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
S
1
8
A
A
D
l
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
and Current
Absolute Maximum Ratings
T o p V ie w
SO-8
Symbol
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
40
± 12
9.4
7.5
75
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
Units
V
V
A
W
W
mW/°C
°C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JL
R θ JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient ?
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
Notes ? through ? are on page 8
www.irf.com
1
3/25/01
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