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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 95241
IRF7521D1PbF
l
Co-packaged
HEXFET ?
Power MOSFET
FETKY ? MOSFET / Schottky Diode
l
l
l
l
l
and Schottky Diode
N-Channel HEXFET
Low V F Schottky Rectifier
Generation 5 Technology
Micro8 TM Footprint
Lead-Free
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
V DSS = 20V
R DS(on) = 0.135 ?
Schottky Vf = 0.39V
Description
Top View
The FETKY TM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the
designer an innovative board space saving solution for switching regulator
applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology
with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an
extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics
applications like cell phone, PDA, etc.
The new Micro8
package, with half the footprint area of the standard SO-8,
The low profile (<1.1mm) of the Micro8
will allow it to fit easily into extremely thin
TM
provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the Micro8 TM
an ideal device for applications where printed circuit board space is at a premium.
TM
application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)
Micro8
TM
Parameter
Maximum
Units
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V
Pulsed Drain Current à
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt á
Junction and Storage Temperature Range
2.4
1.9
19
1.3
0.8
10
± 12
5.0
-55 to +150
A
W
mW/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Maximum
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient ?
100
°C/W
Notes:
à Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 9)
á I SD ≤ 1.7A, di/dt ≤ 66A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec .
www.irf.com
1
5/12/04
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PDF描述 |
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