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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7521D1PbF
Power Mosfet Characteristics
1000
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t 2
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
1 10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
1.0
0.8
0.6
V GS = 2.5V
0.12
0.10
0.4
0.2
4.0V
V GS = 5.0V
0.08
0.06
I D = 1.7A
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
A
0.04
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
A
I D , Drain Current (A)
Fig 10. Typical On-Resistance Vs. Drain
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 11. Typical On-Resistance Vs. Gate
www.irf.com
Current
Voltage
5
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PDF描述 |
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