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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7521D1PbF
Power Mosfet Characteristics
500
400
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss =C ds +C gd
10
8
I D = 1.7A
V DS = 16V
C iss
300
200
100
C oss
C rss
6
4
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
SEE FIGURE 9
6 8
10
A
100
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100μs
T J = 150°C
1ms
1
T J = 25°C
1
10ms
V GS = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
0.1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
0.1
1
10
A
100
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
Forward Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7521D1TR | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| IRF7523D1TRPBF | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 |
| IRF7523D1TR | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 |
| IRF7524D1TR | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
| IRF7526D1PBF | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7523D1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7523D1PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7523D1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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| IRF7524D1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V) |
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