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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7521D1PbF
Micro8 Package Outline
Dimensions are shown in milimeters (inches)
D
-B-
3
LEAD ASSIGNMENTS
D D D D D1 D1 D2 D2
DIM
A
A1
INCHES
MIN MAX
.036 .044
.004
.008
MILLIMETERS
MIN MAX
0.91 1.11
0.10
0.20
3
E
-A-
8 7 6 5
1 2 3 4
H
0.25 (.010)
M
A
M
8 7 6 5
SINGLE
1 2 3 4
8 7 6 5
DUAL
1 2 3 4
B
C
D
e
e1
.010 .014
.005 .007
.116 .120
.0256 BASIC
.0128 BASIC
0.25 0.36
0.13 0.18
2.95 3.05
0.65 BASIC
0.33 BASIC
e
6X
S S S G
S1 G1 S2 G2
E
H
L
θ
.116
.188
.016
0°
.120
.198
.026
6°
2.95
4.78
0.41
0°
3.05
5.03
0.66
6°
e1
θ
RECOMMENDED FOOTPRINT
-C-
B
8X
0.08 (.003)
M
A1
C A S
A
B S
0.10 (.004)
L
8X
C
8X
1.04
( .041 )
8X
3.20
0.38
( .015 )
4.24
8X
5.28
NOTES:
1 DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
( .126 )
( .167 ) ( .208 )
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
Micro8 Part Marking Information
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7501
0.65
( .0256 )
6X
LOT CODE (XX)
DATE CODE (YW) - See table below
Y = YEAR
W = WEEK
P = DESIGNATES LEAD - FREE
PRODUCT (OPTIONAL)
PART NUMBER
WW = (1-26) IF PRECEDED BY LAS T DIGIT OF CALENDAR YEAR
WW = (27-52) IF PRECEDED BY A LETT ER
YEAR
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
Y
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
WORK
WEEK
01
02
03
04
24
25
26
W
A
B
C
D
X
Y
Z
YEAR
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
Y
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
WORK
WEEK
27
28
29
30
50
51
52
W
A
B
C
D
X
Y
Z
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7523D1PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF7524D1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V) |
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