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参数资料
| 型号： | IRF7478QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7478QTRPBFDKR |
PD- 96128A
IRF7478QPbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
N Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
V DSS
60V
R DS(on) max (m W)
26@V GS = 10V
30@V GS = 4.5V
I D
4.2A
3.5A
l
150°C Operating Temperature
A
l
Lead-Free
S
1
8
A
D
Description
These HEXFET Power MOSFET's are a 150°C
junction operating temperature, fast switching
speed and improved repetitive avalanche rating.
These benefits combine to make this design an
extremely efficient and reliable device for use in a
wide variety of applications.
The efficient SO-8 package provides enhanced
thermal characteristics making it ideal in a variety
of power applications. This surface mount SO-8
can dramatically reduce board space and is also
available in Tape & Reel.
S
S
G
2
3
4
Top View
7
6
5
D
D
D
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
7.0
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
5.6
56
2.5
0.02
± 20
3.7
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JL
R θ JA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient ?
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
Notes ? through ? are on page 8
www.irf.com
1
08/09/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7484TRPBF | MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC |
| IRF7521D1TRPBF | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| IRF7521D1TR | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
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| IRF7523D1TR | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7478TR | 功能描述:MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7478TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7484 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF7484PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7484Q | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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