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参数资料
| 型号： | IRF7478QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7478QTRPBFDKR |
IRF7478QPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.065
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
20
23
26 V GS = 10V, I D = 4.2A
30 V GS = 4.5V, I D = 3.5A
?
?
μA
100 V GS = 20V
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
20 V DS = 48V, V GS = 0V
100 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 125°C
nA
-100 V GS = -20V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 4.2A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
4.3
9.6
7.7
2.6
44
––– S V DS = 50V, I D = 4.2A
31 I D = 4.2A
––– nC V DS = 48V
––– V GS = 4.5V
––– V DD = 30V
ns
––– R G = 6.2 ?
t f
Fall Time
–––
13
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1740
300
37
1590
220
410
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 48V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 48V ?
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
140
4.2
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
2.3
56
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
–––
–––
–––
52
1.3
78
V
ns
T J = 25°C, I S = 4.2A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 4.2A
?
Q rr
2
Reverse RecoveryCharge
–––
100
150
nC
di/dt = 100A/μs ?
www.irf.com
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PDF描述 |
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