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参数资料
| 型号： | IRF7478QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7478QTRPBFDKR |
IRF7478QPbF
100
10
VGS
TOP 15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
2.7V
2.7V
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 150°C
2.5
2.0
I D = 7.0A
1.5
10
T J = 25°C
VDS = 25V
1.0
0.5
T J , Junction Temperature ( C)
1
2.5
20μs PULSE WIDTH
3.0 3.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS = 10V
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7478TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRF7484PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7484Q | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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