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参数资料
| 型号： | IRF7468TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15.5 毫欧 @ 9.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2460pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7468
SO-8 Tape and Reel
TER M IN AL N UM B ER 1
1 2.3 ( .484 )
1 1.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
F EE D D IRE C TIO N
N OT E S :
1 . CO NT RO L L ING DIM E NSIO N : M IL L IM E T E R .
2 . AL L DIM E NS ION S ARE SHO W N IN M ILL IM E TER S (INC HE S ).
3 . OU TL IN E CO N FO RM S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
33 0.00
(12.992)
M AX .
14.4 0 ( .566 )
12.4 0 ( .488 )
N O T ES :
1 . CO NT RO LL ING D IM EN SIO N : M ILLIME TER .
2 . O U TLIN E C O NF O RM S T O E IA-48 1 & E IA -54 1.
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 5.0mH
R G = 25 ? , I AS = 8.0A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 1/01
8
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7469PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7469TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 9A, 17 mOhm, 15 nC Qg, SO-8 |
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