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参数资料
| 型号： | IRF7604TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 590pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7604TRPBFDKR |
IRF7604PbF
Micro8 Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
FEED DIRECTION
NOTES:
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
2. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7604TR | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| IRF7607 | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 |
| IRF7663TR | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
| IRF7700GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| IRF7700TRPBF | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7604TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A MICRO8 |
| IRF7606 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8 |
| IRF7606HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -3.6A, 90 MOHM, 20 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube |
| IRF7606PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 3.6A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, MICRO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, MICRO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes |
| IRF7606TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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