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参数资料
型号： IRF7707GTRPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
产品变化通告： Product Discontinuation 08/Jul/2011
标准包装： 1
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 22 毫欧 @ 7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 47nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2361pF @ 15V
功率 - 最大： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 8-TSSOP
包装： 标准包装
其它名称： IRF7707GTRPBFDKR
IRF7707
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.012
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
22 V GS = -4.5V, I D = -7.0A ?
33 V GS = -2.5V, I D = -6.0A ?
201 R G = 6.0 ?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.45
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14.3
18.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
31
6.4
10
11
54
134
138
2361
512
323
m ?
-1.2 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -7.0A
-1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 70°C
-100 V GS = -12V
nA
100 V GS = 12V
47 I D = -7.0A
––– nC V DS = -16V
––– V GS = -4.5V
17 V DD = -10V
81 I D = -1.0A
ns
207 V GS = -4.5V ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -15V
––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
-1.5
-28
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
142
147
-1.2
213
221
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.5A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -1.5A
di/dt = -100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? When mounted on 1 inch square copper board, t < 10sec.
www.irf.com
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