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参数资料
| 型号： | IRF7807D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 93761
IRF7807D1
FETKY ? MOSFET / SCHOTTKY DIODE
? Co-Pack N-channel HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
SO-8
A/S
A/S
A/S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
K/D
K/D
K/D
K/D
D
Description
The FETKY ? family of Co-Pack HEXFET ? MOSFETs and
Schottky diodes offers the designer an innovative, board
space saving solution for switching regulator and power
management applications. HEXFET power MOSFETs
utilize advanced processing techniques to achieve
Device Features (Max Values)
IRF7807D1
extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier’s low forward
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient
device suitable for use in a wide variety of portable
electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave
soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
V DS
R DS(on)
Q g
Q sw
Q oss
30V
25m ?
14nC
5.2nC
18.4nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Max.
30
±12
Units
V
Continuous Drain or Source
25°C
I D
8.3
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
70°C
I DM
6.6
66
A
Power Dissipation
Schottky and Body Diode
Average ForwardCurrent ?
25°C
70°C
25°C
70°C
P D
I F (AV)
2.5
1.6
3.5
2.2
W
A
Junction & Storage Temperature Range
T J , T STG
–55 to 150
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
www.irf.com
R θ JA
50
°C/W
1
11/8/99
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7807D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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