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参数资料
| 型号： | IRF7811WGTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2335pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7811WGTRPBFDKR |
PD- 96254
IRF7811WGPbF
HEXFET ? Power MOSFET for DC-DC Converters
?
?
N-Channel Application-Specific MOSFETs
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
?
?
?
?
?
Low Conduction Losses
Low Switching Losses
100% Tested for Rg
Lead-Free
Halogen-Free
S
S
S
1
2
3
8
7
6
A
D
D
D
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve an unprecedented balance
of on-resistance and gate charge. The reduced conduction
SO-8
G
4
T o p V ie w
5
D
and switching losses make it ideal for high efficiency DC-
DC converters that power the latest generation of
microprocessors.
DEVICE CHARACTERISTICS ?
The IRF7811WGPbF has been optimized for all parameters
that are critical in synchronous buck converters including
R DS(on) , gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity.
The IRF7811WGPbF offers particulary low R DS(on) and high
Cdv/dt immunity for synchronous FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 3W is possible in a typical PCB
mount application.
Absolute Maximum Ratings
R DS (on)
Q G
Q sw
Q oss
IRF7811WGPbF
9.0m ?
22nC
10.1nC
12nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
IRF7811WPbF
30
±12
Units
V
Continuous Drain or Source
T A = 25°C
I D
14
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
T L = 90°C
I DM
13
109
A
Power Dissipation
T A = 25°C
P D
3.1
W
T L = 90°C
3.0
Junction & Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current ?
T J , T STG
I S
I SM
–55 to 150
3.8
109
°C
A
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
R θ JA
40
°C/W
Maximum Junction-to-Lead
www.irf.com
R θ JL
20
°C/W
1
07/10/09
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7811WTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7811WTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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