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参数资料
| 型号： | IRF7811WGTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2335pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7811WGTRPBFDKR |
IRF7811WGPbF
Electrical Characteristics
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
Static Drain-Source
on Resistance
BV DSS
R DS(on)
30
–
9.0
–
12
V
m ?
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 4.5V, I D = 15A ?
Current*
Gate Threshold Voltage
Drain-Source Leakage
Current
V GS(th)
I DSS
1.0
30
150
V
μA
V DS = V GS ,I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0
V DS = 24V, V GS = 0,
Tj = 100°C
Gate-Source Leakage
Current
I GSS
±100
nA
V GS = ±12V
Total Gate Chg Cont FET
Total Gate Chg Sync FET
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Switch Chg(Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
Q G
Q G
Q GS1
Q GS2
Q GD
Q sw
Q oss
R G
t d (on)
22
16.3
3.5
1.2
8.8
10.1
12
2.0
11
33
4.0
nC
?
V GS =5.0V, I D =15A, V DS =16V
V GS = 5V, V DS < 100mV
V DS = 16V, I D = 15A, V GS = 5.0V
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 15A
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t r
t d (off)
t f
11
29
9.9
ns
V GS = 5.0V
Clamped Inductive Load
Input Capacitance
C iss
–
2335
–
Output Capacitance
C oss
–
400
–
pF
V DS = 16V, V GS = 0
Reverse Transfer Capacitance C rss
–
119
–
Source-Drain Rating & Characteristics
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Diode Forward
Voltage*
Reverse Recovery
Charge ?
Reverse Recovery
Charge (with Parallel
V SD
Q rr
Q rr(s)
45
41
1.25
V
nC
nC
I S = 15A ? , V GS = 0V
di/dt ~ 700A/μs
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
di/dt = 700A/μs
(with 10BQ040)
Schottky) ?
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400 μs; duty cycle ≤ 2%.
? When mounted on 1 inch square copper board
? Typ = measured - Q oss
? Typical values of R DS (on) measured at V GS = 4.5V, Q G , Q SW and Q OSS
measured at V GS = 5.0V, I F = 15A.
www.irf.com
2
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