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参数资料
| 型号： | IRF7811WGTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2335pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7811WGTRPBFDKR |
IRF7811WGPbF
100
10
T J = 150 ° C
100
10
T J = 150 ° C
1
T J = 25 ° C
1
T J = 25 ° C
0.1
2.5
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
3.0 3.5 4.0 4.5
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
5.0
0.1
0.4
V GS = 0 V
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 6. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
100
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
P DM
1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
t 1
t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.1 1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Figure 7. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
4
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| IRF7811WTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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