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参数资料
| 型号： | IRF7834PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
PD - 95292
IRF7834PbF
Applications
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
Synchronous Rectifier MOSFET for
V DSS R DS(on) max
30V 4.5m @V GS = 10V
Qg (typ.)
29nC
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
l
Lead-Free
S
1
8
A
A
D
Benefits
l Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l Ultra-Low Gate Impedance
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
S
S
G
2
3
4
Top View
7
6
5
D
D
D
SO-8
and Current
l
20V V GS Max. Gate Rating
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
30
± 20
19
16
160
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JL
R θ JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
–––
–––
20
50
°C/W
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
9/21/04
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PDF描述 |
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