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参数资料
| 型号： | IRF7834PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7834PbF
20
I D = 20A
100
ID
TOP
5.9A
16
12
8
4
T J = 125°C
T J = 25°C
80
60
40
20
6.7A
BOTTOM 16A
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
Starting T J, Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
15V
L D
V DS
VDS
L
DRIVER
+
V DD -
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
D.U.T
Duty Factor < 0.1%
Fig 13a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V (BR)DSS
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 13b. Unclamped Inductive Waveforms
6
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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