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参数资料
| 型号： | IRF7834PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7834PbF
1000
VGS
1000
VGS
TOP 10V
4.5V
3.8V
TOP
10V
4.5V
3.8V
100
3.5V
3.3V
3.5V
3.3V
10
1
2.5V
3.0V
2.8V
BOTTOM 2.5V
100
10
2.5V
3.0V
2.8V
BOTTOM 2.5V
0.1
> 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
> 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.5
I D = 20A
VGS = 10V
100.00
T J = 150°C
10.00
1.0
1.00
T J = 25°C
0.10
VDS = 10V
> 60μs PULSE WIDTH
0.01
2.0
3.0
4.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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