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参数资料
| 型号： | IRF7834PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7834PbF
20
2.2
16
1.8
12
I D = 250μA
8
1.4
4
0
1.0
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature
10
0.20
0.10
0.05
τ C
1
0.1
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
R 4
R 4
τ 4
τ 4
τ
Ri (°C/W)
1.1659
9.9439
25.520
τ i (sec)
0.000184
0.153919
1.7486
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci= i / Ri
Notes:
13.380
49
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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