- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRF7834PBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7834PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3710pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7834PbF
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
12
10
ID= 16A
VDS= 24V
VDS= 15V
C oss = C ds + C gd
10000
Ciss
8
6
1000
Coss
Crss
4
2
100
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.0
100.0
T J = 150°C
10.0
1000
100
10
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF820STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
| IRF820 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
| IRF840LPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
| IRF8714GPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7834TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7834TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7834TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7835PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 2.5 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| IRF7835TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。