参数资料
型号: IRF7807D1TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
标准包装: 4,000
系列: FETKY™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
IRF7807D1
SO-8 Package Details
SO-8 Part Marking
www.irf.com
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PDF描述
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IRF7807D2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807D2HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7807D2PBF 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube