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参数资料
| 型号： | IRF7807D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7807D1
MOSFET , Body Diode & Schottky Diode Characteristics
100
100
10
Tj = 150°C
Tj = 125°C
1
125°C
100°C
10
Tj = 25°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
75°C
50°C
25°C
0
5
10
15
20
25
30
Reverse Voltage - VR (V)
Fig. 13 - Typical Values of
1
0.1
Reverse Current Vs. Reverse Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Forward Voltage Drop - V F ( V )
Fig. 12 - Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| IRF7807D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7807D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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