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参数资料
| 型号： | IRF7807D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7807D1
100
10
VGS
TOP 4.5V
3.5V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
100
10
VGS
TOP 4.5V
3.5V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
1
380μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
380μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
60
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
70
VGS
TOP 4.5V
TOP
VGS
4.5V
50
40
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 0.0V
60
50
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 0.0V
40
30
30
20
20
0.0V
10
0
380μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
0
380μS PULSE WIDTH
0.0V Tj = 150°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 3. Typical Reverse Output Characteristics
www.irf.com
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 4. Typical Reverse Output Characteristics
3
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PDF描述 |
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