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参数资料
| 型号： | IRF7807D2 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
PD- 93762
IRF7807D2
FETKY ? MOSFET / SCHOTTKY DIODE
? Co-Pack N-channel HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
SO-8
A/S
A/S
A/S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
K/D
K/D
K/D
K/D
D
Description
The FETKY ? family of Co-Pack HEXFET ? MOSFETs
and Schottky diodes offers the designer an innovative,
board space saving solution for switching regulator and
power management applications. HEXFET power
MOSFETs utilize advanced processing techniques to
Device Features (Max Values)
achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Combining this technology with International Rectifier’s
low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely
efficient device suitable for use in a wide variety of
portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave
soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
V DS
R DS (on)
Q g
Q SW
Q oss
IRF7807D2
30V
25m ?
14nC
5.2nC
21.6nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Max.
30
±12
Units
V
Continuous Drain or Source
25°C
I D
8.3
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
70°C
I DM
6.6
66
A
Power Dissipation
Schottky and Body Diode
Average ForwardCurrent ?
25°C
70°C
25°C
70°C
P D
I F (AV)
2.5
1.6
3.7
2.3
W
A
Junction & Storage Temperature Range
T J , T STG
–55 to 150
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
www.irf.com
R θ JA
50
°C/W
1
11/8/99
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7807VD2TRPBF | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| IRF7809ATR | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| IRF7811WGTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7807D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7807D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7807D2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR TRANSISTOR TYPE:MOSFET |
| IRF7807D2TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7807D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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