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参数资料
| 型号： | IRF7807D2 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7807D2
0.05
0.04
0.03
0.024
0.022
0.020
VGS = 4.5V
0.02
I D = 7.0A
0.018
VGS = 10V
0.01
2.0
4.0 6.0 8.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
10.0
0.016
0
20 40 60
I D , Drain Current (A)
80
Fig 9. On-Resistance Vs. Gate Voltage
100
D = 0.50
Fig 10. On-Resistance Vs. Drain Current
10
0.20
0.10
0.05
0.02
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (MOSFET)
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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