- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRF7807D2 (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7807D2 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7807D2
2000
1600
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6
I D = 7.0A
VDS = 16V
4
1200
800
Ciss
Coss
2
400
Crss
0
0
1
10
100
0
4
8
12
2.0
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
I D = 7.0A
VGS = 4.5V
T J = 25°C
1.5
T J = 150°C
1.0
VDS = 10V
0.5
10
380μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
2.5
3.0
3.5
4
T J, Junction Temperature (°C )
Fig 7. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7807VD2TRPBF | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| IRF7809ATR | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| IRF7811WGTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| IRF820STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7807D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7807D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7807D2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR TRANSISTOR TYPE:MOSFET |
| IRF7807D2TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7807D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。