- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRF7807D1TR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7807D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7807D1
SO-8 Tape and Reel
T E R M IN A L N U M B E R 1
8 .1 ( .31 8 )
12 .3 ( .48 4 )
11 .7 ( .46 1 )
7 .9 ( .31 2 )
F E E D D IR E C T IO N
NOTES:
1 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2 . A L L D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E TE R S (IN C H E S ).
3 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1.
33 0.00
(12 .9 92 )
MAX.
14 .4 0 ( .5 66 )
12 .4 0 ( .4 88 )
NO TES :
1. C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2. O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -48 1 & E IA -54 1.
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
Data and specifications subject to change without notice. 11/99
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7807D2 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| IRF7807VD2TRPBF | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| IRF7809ATR | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| IRF7811WGTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7807D1TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7807D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7807D2 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7807D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7807D2PBF | 功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。