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参数资料
| 型号： | IRF840STRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF840S, SiHF840S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
Top
15 V
10 1
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
10 1
150 ° C
25 ° C
Bottom 4.5 V
10 0
4.5 V
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
20 μs Pulse Width
V DS = 50 V
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91071_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
91071_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
3.0
2.5
I D = 8.0 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
2.0
10 0
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
20 μs Pulse Width
T C = 150 °C
1.5
1.0
0.5
10 0
10 1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91071_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91071_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 91071
S11-1050-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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