参数资料
型号: IRF840STRRPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 850 毫欧 @ 4.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF840S, SiHF840S
Vishay Siliconix
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R g
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
1200
I D
1000
Top
3.6 A
5.1 A
Bottom 8.0 A
800
600
400
200
0
V DD = 50 V
25
50
75
100
125
150
91071_12c
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
10 V
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
Document Number: 91071
S11-1050-Rev. C, 30-May-11
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