- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21658 > IRF9410 (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF9410 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF9410 |
IRF9410
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
3.0V
3.0 V
20 μs P U LSE W IDTH
20 μs P U LSE W IDTH
1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 1 5 0 °C
10
T J = 1 50 °C
T J = 2 5°C
1
V D S = 1 0 V
V G S = 0 V
1
3.0
3.5
4.0
2 0 μ s PU L SE W ID TH
4.5 5.0 5.5
A
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
A
1.2
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7811A | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
| IRF7811ATR | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC |
| BAV756DW-7-F | DIODE SW ARRAY QUAD 75V SC70-6 |
| 3386Y-1-200 | TRIMMER 20 OHM 0.5W TH |
| UB16KKG01N-E | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9410PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9410TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9410TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF9410TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF949TE6700 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。