参数资料
型号: IRF9410
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
标准包装: 95
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 管件
其它名称: *IRF9410
IRF9410
Package Outline
SO8 Outline
D
-B -
5
D IM
A
IN C H E S
M IN MAX
.0 5 3 2 .0688
M IL L IM E T E R S
M IN M AX
1 .3 5 1 .7 5
5
E
8
7
6
5
H
A1
B
.0 0 4 0
.0 1 4
.0098
.018
0 .1 0
0 .3 6
0 .2 5
0 .4 6
-A -
1
2
3
4
0.25 (.01 0)
M
A M
C
D
.0 0 7 5
.1 8 9
.0 09 8
.1 96
0 .1 9
4 .8 0
0 .2 5
4 .9 8
E
.1 5 0
.157
3 .8 1
3 .9 9
e
6X
e1
A
θ
θ
K x 45°
e
e1
H
K
.0 5 0 B A S IC
.0 2 5 B A S IC
.2 2 8 4 .2 44 0
.0 1 1 .019
1 .2 7 B A S IC
0 .6 3 5 B A S IC
5 .8 0 6 .2 0
0 .2 8 0 .4 8
-C -
B 8X
0.25 ( .010)
M
A1
C A S B S
0.10 (.0 04)
L
8X
6
C
8X
L
θ
0 .1 6 .0 5 0 0 .4 1
0° 8° 0°
RE CO MM EN DE D F O O T PR INT
1 .2 7
N OT E S :
1. D IME NS IO NING AND T O LE RA NCING PE R A NS I Y 14.5M- 1982.
2. C O NT RO LLING D IME NS IO N : IN CH.
3. D IME NS IO NS A RE S HO W N IN M ILLIME T ER S (INC HE S) .
0.72 (.028 )
8X
4. O U TLIN E CO NF O RM S T O JE DE C O U TLINE MS -01 2AA .
5 DIM ENS IO N DO ES NO T INCLU DE M OL D P RO T RUS IO NS
MO LD PR O TRU SIO NS NO T T O E XCEE D 0.25 (.006).
6 DIM ENS IO NS IS T H E LE NG T H O F LE AD F O R SO LDE RIN G T O A S UB ST RA T E..
6.46 ( .255 )
1.27 ( .0 50 )
1.78 (.07 0)
8X
3X
Part Marking Information
SO8
E X A M P LE : TH IS IS A N IR F 7 101
D A T E C O D E (Y W W )
Y = LA S T D IG IT O F T H E YE A R
3 12
W W = W EEK
IN T E R N A TI ON A L
R E C T IF IE R
F 7 101
W AFER
XX X X
LO G O
T OP
PART NUMBER
LO T C O D E
(LA S T 4 D IG IT S )
B O T TO M
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PDF描述
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3386Y-1-200 TRIMMER 20 OHM 0.5W TH
UB16KKG01N-E SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRF9410TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRF9410TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF949TE6700 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: